Beschreibung

• Die hier beantragte ESCA/SAM-Anlage dient der Charakterisierung stöchiometrischer und elektronischer Eigenschaften verschiedenster Systeme in den Bereichen Physik, Chemie und Materialwissenschaften an der Universität Osnabrück und an der Hochschule Osnabrück. Hierzu werden zum einen Photo- aber auch Augerelektronen (XPS, AES) genutzt, wobei die Augerelektronen insbesondere auch für rasternde Mikroskopie verwendet werden. Mit dem Gerät sollen sehr unterschiedliche Materialsysteme, wie ultradünne Schichten, Nanopartikel und magnetische Moleküle sowie Werkstoffe der Materialwissenschaften und Katalyse mit hoher elementspezifischer Auflösung untersucht werden, die man nur mit Hilfe monochromatisierter Quellen erreichen kann, um Valenz- und Oxidationszustände zu erfassen. Hierbei sollen zum einen Stöchiometrien von Oberflächen, aber auch tiefenabhängige Stöchiometrien mittels Sputter-XPS studiert werden. Zum Teil ist geplant, empfindliche Systeme zu untersuchen, die einer entsprechenden in-situ-Präparation bedürfen. Daher soll das System mit einer Präparationskammer ausgestattet werden, in der neben der Präparation auch die Oberflächenstruktur mittels LEED charakterisiert werden soll. Diese ergänzende Methode soll auch für weitere einkristalline Materialien verwendet werden. Laterale Strukturen, die durch Riss- oder Korngrenzenbildung entstehen, sollen mit hoher lateraler Auflösung im Bereich von 100nm elementspezifisch erfasst werden. Ergänzt werden diese Untersuchungen durch rasternde Photoelektronenspektroskopie.

Projektlaufzeit

• 26.03.2018 - 25.03.2019